ASDM3416EZA-R

• 库存：181
• 起订量：10
• 倍数：10

• 品牌：

  ASDsemi(安森德)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  SOT-23

• 描述：

  类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,7A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：620mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：640pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：78pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

  展开

• 最小包装量：3000