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SIHK075N60E-T1-GE3
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品牌：
-
分类：
-
封装：
PowerPAK®10 x 12
-
描述：
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 9-Pin(8+Tab) PowerPAK T/R
- 最小包装量：1
- 批次：2620+
SIHK075N60E-T1-GE3其他库存
商品SIHK075N60E-T1-GE3规格参数
商品型号 :
SIHK075N60E-T1-GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
2620+
包装 :
--
库存 :
2000
系列
E
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
80 毫欧@13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
62 nC@10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2582pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
167W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK®10 x 12
封装/外壳
8-PowerBSFN
ECCN
EAR99
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