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    场效应管(MOSFET)DMN3055LFDBQ-7采购_元器件采购商城
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    DMN3055LFDBQ-7

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    商品DMN3055LFDBQ-7规格参数

    商品型号 :

    DMN3055LFDBQ-7

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    5

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    2060

    FET 功能

    --

    漏源电压(Vdss)

    30V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    5A(Ta)

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    40 毫欧@3A,4.5V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V@250µA

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    458pF@15V

    功率 - 最大值

    810mW(Ta)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    产品状态

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    • DMN3055LFDBQ-7_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMN3055LFDBQ-7

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（B 类）

      库存： 2060

      标准包： 1

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    • DMN3055LFDBQ-7_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMN3055LFDBQ-7

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（B 类）

      库存： 2060

      标准包： 1

      增量： 5

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