NXH010P120MNF1PNG

商品型号 :

NXH010P120MNF1PNG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

28

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

托盘

库存 :

29

系列

--

包装

托盘

技术

碳化硅(SiC)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

114A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

14 毫欧@100A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.3V@40mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

454nC@20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4707pF@800V

功率 - 最大值

250W(Tj)

工作温度

-40℃~175℃(TJ)

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

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基本产品编号

NXH010

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99