CAB530M12BM3

商品型号 :

CAB530M12BM3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

CREE/WOLFSPEED

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2624+

包装 :

--

库存 :

2

系列

--

包装

托盘

技术

碳化硅(SiC)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

1200V(1.2kV)

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

530A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3.55 欧姆@530A,15V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.6V@140mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

1362nC@4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

39600pF@800V

功率 - 最大值

--

工作温度

-40℃~150℃(TJ)

安装类型

底座安装

封装/外壳

模块

供应商器件封装

模块

基本产品编号

CAB530

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99