SISH108DN-T1-GE3

商品型号 :

SISH108DN-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

24

批次 :

2143+

包装 :

--

库存 :

50

系列

TrenchFET® Gen II

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

14A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.9 毫欧@22A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

30 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±16V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.5W(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8SH

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8SH

基本产品编号

SISH108

ECCN

EAR99