FDMS86163P

商品型号 :

FDMS86163P

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

编带

库存 :

31

系列

PowerTrench®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.9A(Ta),50A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

6V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

22 毫欧@7.9A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

59 nC@10 V

Vgs(最大值)

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

4085pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

2.5W(Ta),104W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN(5x6)

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

FDMS86163

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99