百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FDMS86163P
阶梯
美金
含税
5+
--
¥20.9085
50+
--
¥18.3563
100+
--
¥15.7935
500+
--
¥13.252
1500+
--
¥12.9957
货期:
品牌:
分类:
封装:
8-PQFN(5x6)
描述:
场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, -50A, POWER56-8
商品型号 :
FDMS86163P
类目 :
品牌 :
Onsemi(安森美)
最小包装量 :
1
起订量 :
5
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
4433
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.9A(Ta),50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
22 毫欧@7.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
59 nC@10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4085pF@50 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),104W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS86163
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
阶梯
香港交货
大陆交货(含税)
库存: 1
标准包: 5000
增量: 1
批次: 25+
1+
$0.4404
¥3.3646
5000+
$0.4197
¥3.2062
库存: 149
标准包: 5000
增量: 3
3+
--
¥8.2558
30+
--
¥6.7011
90+
--
¥5.8977
300+
--
¥4.9213
1500+
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¥4.4556
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