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    场效应管(MOSFET)DMT12H065LFDF-13采购_元器件采购商城
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    DMT12H065LFDF-13

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    商品DMT12H065LFDF-13规格参数

    商品型号 :

    DMT12H065LFDF-13

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

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    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    8167

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    115V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    4.3A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    3V,10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    65 毫欧@3A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.2V@250µA

    Vgs(最大值)

    ±12V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    252pF@50 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    1W(Ta)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    湿气等级

    1(无限)

    产品状态

    在售

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    • DMT12H065LFDF-13_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMT12H065LFDF-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（F 类）

      库存： 8167

      标准包： 1

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    • DMT12H065LFDF-13_场效应管(MOSFET)
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      DMT12H065LFDF-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： U-DFN2020-6（F 类）

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