TK65E10N1,S1X

商品型号 :

TK65E10N1,S1X

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

6

批次 :

1837+

包装 :

--

库存 :

34

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

148A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.8 毫欧@32.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5400pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

192W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售