TK65E10N1,S1X

商品型号 :

TK65E10N1,S1X

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

50

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

管件

库存 :

180

系列

U-MOSVIII-H

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

100V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

148A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.8 毫欧@32.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

81 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5400pF@50 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

192W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

TK65E10

ECCN

EAR99