STQ2HNK60ZR-AP

商品型号 :

STQ2HNK60ZR-AP

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

2000

起订量 :

2000

批次 :

2520+

包装 :

--

库存 :

8000

系列

SuperMESH™

包装

剪切带(CT);带盒(TB)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

600V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

500mA(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4.8 欧姆@1A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

15 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

280pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-92-3

封装/外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

基本产品编号

STQ2HNK60

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99