BSG0810NDIATMA1

商品型号 :

BSG0810NDIATMA1

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

397

系列

OptiMOS™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N 沟道(双)非对称型

FET 功能

逻辑电平栅极,4.5V 驱动

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

19A,39A

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3 毫欧@20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

8.4nC@4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1040pF@12V

功率 - 最大值

2.5W

工作温度

-55℃~155℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerTDFN

供应商器件封装

PG-TISON-8

基本产品编号

BSG0810

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99