SI1317DL-T1-BE3

商品型号 :

SI1317DL-T1-BE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2883

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.4A(Ta),1.4A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

150 毫欧@1.4A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

800mV@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

6.5 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

272pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

400mW(Ta),500mW(Tc)

工作温度

-50℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

SC-70-3

封装/外壳

SC-70,SOT-323

基本产品编号

SI1317

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99