BS170-D26Z

商品型号 :

BS170-D26Z

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

onsemi(安森美)/Fairchild

最小包装量 :

2000

起订量 :

2000

批次 :

2633+

包装 :

--

库存 :

8000

系列

--

包装

散装

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

500mA(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

5 欧姆@200mA,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3V@1mA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

40pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

830mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-92-3

封装/外壳

TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99