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    场效应管(MOSFET)NTBLS1D7N08H采购_元器件采购商城
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    商品NTBLS1D7N08H规格参数

    商品型号 :

    NTBLS1D7N08H

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    Onsemi(安森美)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    797

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    80V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    29A(Ta),203A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    6V,10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    1.7 毫欧@80A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V@479µA

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    7675pF@40 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    3.5W(Ta),167W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    湿气等级

    1(无限)

    产品状态

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    • NTBLS1D7N08H_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      NTBLS1D7N08H

      品牌： Onsemi(安森美)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 8-HPSOF

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    • NTBLS1D7N08H_场效应管(MOSFET)
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      NTBLS1D7N08H

      品牌： Onsemi(安森美)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 8-HPSOF

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