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STGD7NC60HT4

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商品STGD7NC60HT4规格参数

商品型号 :

STGD7NC60HT4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

8

批次 :

1919+

包装 :

--

库存 :

120

系列

PowerMESH™

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

IGBT 类型

--

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

25A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

50A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.5V@15V,7A

功率 - 最大值

70W

开关能量

95µJ(导通),115µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

35 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

18.5ns/72ns

测试条件

390V,7A,10 欧姆,15V

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

供应商器件封装

TO-252(DPAK)

基本产品编号

STGD7

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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