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    场效应管(MOSFET)DMT64M8LSS-13采购_元器件采购商城
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    DMT64M8LSS-13

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    商品DMT64M8LSS-13规格参数

    商品型号 :

    DMT64M8LSS-13

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

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    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

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    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    60V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    13.6A(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    4.5V,10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    5 毫欧@20A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.3V@250µA

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    2664pF@30 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    1.4W(Ta)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    产品状态

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    • DMT64M8LSS-13_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMT64M8LSS-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 8-SO

      库存： 2269

      标准包： 1

      增量： 1

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    • DMT64M8LSS-13_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMT64M8LSS-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： 8-SO

      库存： 2269

      标准包： 1

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