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STD15N60DM6
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品牌：
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分类：
-
封装：
TO-252（DPAK）
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描述：
MOSFET, N-CH, 600V, 12A, TO-252
- 最小包装量：1
STD15N60DM6其他库存
商品STD15N60DM6规格参数
商品型号 :
STD15N60DM6
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
92
系列
MDmesh™
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A(Tc)
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
338 毫欧@6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.75V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15.3 nC@10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
607pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
110W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252(DPAK)
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
STD15
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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