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NTP165N65S3H

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¥41.9438

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  • 库存:43
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-14工作日
香港: 8-12工作日

数量:

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合计:

¥41.9438

  • 最小包装量:1

商品NTP165N65S3H规格参数

商品型号 :

NTP165N65S3H

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

43

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

650V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

19A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

165 毫欧@9.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1.6mA

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1808pF@400 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

142W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

湿气等级

不适用

产品状态

不适用于新设计

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