ASDM2301ZA-R

• 库存：2140
• 起订量：20
• 倍数：20

• 品牌：

  ASDsemi(安森德)

• 分类：

  场效应管(MOSFET)

• 封装：

  SOT-23

• 描述：

  类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：650mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：3.3nC@2.5V 输入电容(Ciss@Vds)：405pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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• 最小包装量：3000