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SQJ403BEEP-T1_GE3
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品牌：
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分类：
-
封装：
PowerPAK® SO-8
-
描述：
Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
- 包装：Cut Strips
- 最小包装量：1
- 批次：2319+
SQJ403BEEP-T1_GE3其他库存
商品SQJ403BEEP-T1_GE3规格参数
商品型号 :
SQJ403BEEP-T1_GE3
类目 :
品牌 :
VISHAY(威世)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
2319+
包装 :
Cut Strips
库存 :
3000
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
8.5 毫欧@10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
164 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
68W(Tc)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SQJ403
ECCN
EAR99
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