SIZ256DT-T1-GE3

商品型号 :

SIZ256DT-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

4180

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

2 N-通道(双)

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

70V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

11.5A(Ta),31.8A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

17.6 毫欧@7A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

27nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1060pF@35V

功率 - 最大值

4.3W(Ta),33W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-PowerWDFN

供应商器件封装

8-PowerPair®(3.3x3.3)

基本产品编号

SIZ256

ECCN

EAR99