G2R1000MT33J

商品型号 :

G2R1000MT33J

类目 :

其它

品牌 :

GeneSiC Semiconductor

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

400

系列

G2R™

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss)

3300V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.2 欧姆@2A,20V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

3.5V@2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

21 nC@20 V

Vgs(最大值)

+20V,-5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

238pF@1000 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

74W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263-7

封装/外壳

TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA

基本产品编号

G2R1000

ECCN

EAR99