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    场效应管(MOSFET)DMN31D5UFO-7B采购_元器件采购商城
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    商品DMN31D5UFO-7B规格参数

    商品型号 :

    DMN31D5UFO-7B

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

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    1

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    5

    批次 :

    --

    包装 :

    --

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    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    30V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    410mA(Ta)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    1.5V,4.5V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    1.5 欧姆@100mA,4.5V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1V@250µA

    Vgs(最大值)

    ±12V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    22.6pF@15 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    380mW(Ta)

    工作温度

    -55℃~150℃(TJ)

    产品状态

    在售

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    • DMN31D5UFO-7B_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMN31D5UFO-7B

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： X2-DFN0604-3

      库存： 5628

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    • DMN31D5UFO-7B_场效应管(MOSFET)
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      DMN31D5UFO-7B

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： X2-DFN0604-3

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