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    场效应管(MOSFET)DMTH4002SCTB-13采购_元器件采购商城
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    商品DMTH4002SCTB-13规格参数

    商品型号 :

    DMTH4002SCTB-13

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

    最小包装量 :

    1

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    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    685

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    40V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    192A(Tc)

    驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

    10V

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    3 毫欧@90A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V@250µA

    Vgs(最大值)

    ±20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    7180pF@20 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    6W(Ta),166.7W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    产品状态

    在售

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    • DMTH4002SCTB-13_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMTH4002SCTB-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-263AB（D2PAK）

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    • DMTH4002SCTB-13_场效应管(MOSFET)
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      DMTH4002SCTB-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-263AB（D2PAK）

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