RV8C010UNHZGG2CR

商品型号 :

RV8C010UNHZGG2CR

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

1

起订量 :

5

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2930

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

1A(Ta)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

470 毫欧@500mA,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

Vgs(最大值)

±8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

40pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1W

工作温度

150℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DFN1010-3W

封装/外壳

3-XFDFN

基本产品编号

RV8C010

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99