SISS76LDN-T1-GE3

商品型号 :

SISS76LDN-T1-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

18000

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

70V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

19.6A(Ta),67.4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

3.3V,4.5V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

6.25 毫欧@10A,4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1.6V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

33.5 nC@4.5 V

Vgs(最大值)

±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2780pF@35 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

4.8W(Ta),57W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8SH

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8SH

基本产品编号

SISS76

REACH 状态

未明确供应商

ECCN

EAR99