STGB30H65DFB2

商品型号 :

STGB30H65DFB2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

912

系列

HB2

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

50A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

90A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,30A

功率 - 最大值

167W

开关能量

270µJ(导通),310µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

90 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

18.4ns/71ns

测试条件

400V,30A,6.8 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

115ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA

供应商器件封装

D2PAK-3

基本产品编号

STGB30

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99