SIHD11N80AE-GE3

商品型号 :

SIHD11N80AE-GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

2130

系列

E

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

800V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

8A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

450 毫欧@5.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

42 nC@10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

804pF@100 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

78W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-252AA

封装/外壳

TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63

基本产品编号

SIHD11

ECCN

EAR99