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IGLD60R190D1AUMA1
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品牌：
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分类：
-
描述：
晶体管,GAN晶体管,600V,10A
- 最小包装量：1
IGLD60R190D1AUMA1其他库存
商品IGLD60R190D1AUMA1规格参数
商品型号 :
IGLD60R190D1AUMA1
类目 :
品牌 :
Infineon(英飞凌)/Cypress
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
1206
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
--
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
--
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1,6V@960µA
Vgs(最大值)
-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
157pF@400 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
62.5W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
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