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STD11N50M2
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品牌：
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分类：
-
封装：
DPAK
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描述：
场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 8A, 150度 C, 85W
- 最小包装量：1
STD11N50M2其他库存
商品STD11N50M2规格参数
商品型号 :
STD11N50M2
类目 :
品牌 :
ST(意法半导体)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
272
系列
MDmesh™ II Plus
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
530 毫欧@4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
12 nC@10 V
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
395pF@100 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
85W(Tc)
工作温度
-55℃~150℃(TJ)
等级
--
资质
--
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
STD11
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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