STGW20H60DF

商品型号 :

STGW20H60DF

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

161

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

600V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

40A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

80A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2V@15V,20A

功率 - 最大值

167W

开关能量

209µJ(导通),261µJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

115 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

42.5ns/177ns

测试条件

400V,20A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

90ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247

基本产品编号

STGW20

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99