STGW40H120DF2

商品型号 :

STGW40H120DF2

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

ST(意法半导体)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

60

系列

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包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

1200V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

80A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

160A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.6V@15V,40A

功率 - 最大值

468W

开关能量

1mJ(导通),1.32mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

187 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

18ns/152ns

测试条件

600V,40A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

488ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

供应商器件封装

TO-247-3

基本产品编号

STGW40

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99