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ES1D-M3/61T

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商品ES1D-M3/61T规格参数

商品型号 :

ES1D-M3/61T

类目 :

快恢复/高效率二极管

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2403+

包装 :

Cut Strips

库存 :

2055

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)

200V

电流 - 平均整流 (Io)

1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

920mV@1 A

速度

快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr)

25ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏

5 µA@200 V

不同 Vr,F 时电容

10pF@4V,1MHz

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

DO-214AC,SMA

供应商器件封装

DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结

-55℃~150℃

基本产品编号

ES1

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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    ES1D-M3/61T

    品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)

    封装: SMA(DO-214AC)

    库存: 360000

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    增量: 2000

    批次: 26+

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  • ES1D-M3/61T

    品牌: VISHAY(威世)

    分类: 快恢复/高效率二极管

    封装: DO-214AC(SMA)

    库存: 2055

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