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IXFA4N100Q

阶梯

美金

含税

50+

$9.0401

¥69.0608

100+

$8.2152

¥62.7594

250+

$8.1643

¥62.3701

500+

$7.8456

¥59.9359

关税
  • 库存:150
  • 起订量:50
  • 倍数:50

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 7-10工作日

数量:

- +

合计:

¥3453.04

  • 最小包装量:50
  • 批次:2629+

商品IXFA4N100Q规格参数

商品型号 :

IXFA4N100Q

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Littelfuse/IXYS

最小包装量 :

50

起订量 :

50

批次 :

2629+

包装 :

--

库存 :

150

系列

HiPerFET™,Q Class

包装

管件

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

1000V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

4A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

3 欧姆@2A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4.5V@1.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

39 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

1050pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

150W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

TO-263AA(IXFA)

封装/外壳

TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB

基本产品编号

IXFA4N100

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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