SIRA26DP-T1-RE3

商品型号 :

SIRA26DP-T1-RE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

2335+

包装 :

Cut Strips

库存 :

5000

系列

TrenchFET® Gen IV

包装

卷带(TR);剪切带(CT); 定制卷带

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

25V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

2.65 毫欧@15A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

44 nC@10 V

Vgs(最大值)

+16V,-12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

2247pF@10 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

43.1W(Tc)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

基本产品编号

SIRA26

ECCN

EAR99