LND150N3-G-P002

商品型号 :

LND150N3-G-P002

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

MICROCHIP/ATMEL

最小包装量 :

2000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

19

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 沟道,耗尽型

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

500V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

30mA(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

0V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1000 欧姆@500µA,0V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

--

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

10pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

740mW(Ta)

工作温度

-55℃~150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-92-3

封装/外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

基本产品编号

LND150

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99