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SPB80P06PGATMA1

阶梯

美金

含税

1+

--

¥46.2727

10+

--

¥37.6292

30+

--

¥32.4333

100+

--

¥27.2967

  • 库存:378
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 2-4工作日

数量:

- +

合计:

¥46.2727

  • 品牌:

    Infineon(英飞凌)/Cypress

  • 分类:

    其它

  • 封装:

    TO-263-3

  • 描述:

    P沟道增强模式SIPMOS功率晶体管,雪崩额定,dv/dt额定,无铅镀铅,符合RoHS和无卤标准

  • 最小包装量:1000

商品SPB80P06PGATMA1规格参数

商品型号 :

SPB80P06PGATMA1

类目 :

其它

品牌 :

Infineon(英飞凌)/Cypress

最小包装量 :

1000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

378

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

60V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

23 毫欧@64A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@5.5mA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5033pF@25 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

340W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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