百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > TPN3R704PL,L1Q
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TSON-8(3.1x3.1)
描述:
1个N沟道 耐压:40V
商品型号 :
TPN3R704PL,L1Q
类目 :
品牌 :
TOSHIBA(东芝)
最小包装量 :
5000
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
4685
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
40V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
80A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
3.7 毫欧@40A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V@200µA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2500pF@20 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
630mW(Ta),86W(Tc)
工作温度
175℃
湿气等级
1(无限)
产品状态
在售
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标准包: 5000
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