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TPH4R008NH,L1Q

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  • 库存:4673
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数量:

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合计:

¥7.4535

  • 最小包装量:5000

商品TPH4R008NH,L1Q规格参数

商品型号 :

TPH4R008NH,L1Q

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

5000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

4673

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5300pF@40 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.6W(Ta),78W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售

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