百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > TPH4R008NH,L1Q

TPH4R008NH,L1Q

阶梯

美金

含税

1+

$43.654

¥362.4897

10+

$28.7121

¥238.4163

50+

$22.2698

¥184.9213

100+

$20.1946

¥167.6897

500+

$16.9973

¥141.1405

关税
  • 库存:6068
  • 起订量:1
  • 倍数:1

货期:

大陆: 10-13工作日
香港: 8-11工作日

数量:

- +

合计:

¥362.4897

  • 包装:剪切带(CT)
  • 最小包装量:1

商品TPH4R008NH,L1Q规格参数

商品型号 :

TPH4R008NH,L1Q

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

TOSHIBA(东芝)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

剪切带(CT)

库存 :

6068

系列

U-MOSVIII-H

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

80V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

60A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

4 毫欧@30A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

4V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

59 nC@10 V

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

5300pF@40 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

1.6W(Ta),78W(Tc)

工作温度

150℃(TJ)

等级

--

资质

--

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-SOP Advance(5x5)

封装/外壳

8-PowerVDFN

基本产品编号

TPH4R008

ECCN

EAR99

TPH4R008NH,L1Q 相关商品推荐

商品图片
型号/品牌/参数
库存/包装/批次

阶梯

香港交货

大陆交货(含税)

交期
合计
操作

优惠券

可领取的券

云芯AI助手