EM6M2T2R

商品型号 :

EM6M2T2R

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Rohm(罗姆)

最小包装量 :

8000

起订量 :

10

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

9990

系列

--

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

逻辑电平门

漏源电压(Vdss)

20V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

200mA

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1 欧姆@200mA,4V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

1V@1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

--

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

25pF@10V

功率 - 最大值

150mW

工作温度

150℃(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

供应商器件封装

EMT6

基本产品编号

EM6M2

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99