SQ4532AEY-T1_GE3

商品型号 :

SQ4532AEY-T1_GE3

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

VISHAY(威世)

最小包装量 :

2500

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

24

系列

TrenchFET®

包装

卷带(TR);剪切带(CT)

技术

MOSFET(金属氧化物)

配置

N 和 P 沟道

FET 功能

--

漏源电压(Vdss)

30V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

7.3A(Tc),5.3A(Tc)

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

31 毫欧@4.9A,10V,70 毫欧@3.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2.5V@250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

7.8nC@10V,10.2nC@10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

535pF@15V,528pF@15V

功率 - 最大值

3.3W

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

等级

汽车级

资质

AEC-Q101

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装

8-SOIC

基本产品编号

SQ4532

ECCN

EAR99