NTMYS1D2N04CLTWG

商品型号 :

NTMYS1D2N04CLTWG

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

3000

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

45

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

40V

25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

44A(Ta),258A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

1.2 毫欧@50A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

2V@180µA

Vgs(最大值)

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

6330pF@20 V

FET 功能

--

功率耗散(最大值)

3.9W(Ta),134W(Tc)

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

湿气等级

1(无限)

产品状态

在售