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    场效应管(MOSFET)SQW61N65EF-GE3采购_元器件采购商城
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    SQW61N65EF-GE3

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    商品SQW61N65EF-GE3规格参数

    商品型号 :

    SQW61N65EF-GE3

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    VISHAY(威世)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    213

    系列

    E

    包装

    管件

    FET 类型

    N 通道

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    漏源电压(Vdss)

    650V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    62A(Tc)

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    52 毫欧@32A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    344 nC@10 V

    Vgs(最大值)

    ±30V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    7379pF@100 V

    FET 功能

    --

    功率耗散(最大值)

    625W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    等级

    汽车级

    资质

    AEC-Q101

    安装类型

    通孔

    供应商器件封装

    TO-247AD

    封装/外壳

    TO-247-3

    基本产品编号

    SQW61

    ECCN

    EAR99

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    • SQW61N65EF-GE3_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      SQW61N65EF-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247AD

      库存： 213

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    • SQW61N65EF-GE3_场效应管(MOSFET)
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      SQW61N65EF-GE3

      品牌： VISHAY(威世)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： TO-247AD

      库存： 213

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