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FGH75T65SQDNL4

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  • 库存:1185
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  • 最小包装量:1

商品FGH75T65SQDNL4规格参数

商品型号 :

FGH75T65SQDNL4

类目 :

场效应管(MOSFET)

品牌 :

Onsemi(安森美)

最小包装量 :

1

起订量 :

1

批次 :

--

包装 :

--

库存 :

1185

系列

--

包装

管件

IGBT 类型

沟槽型场截止

电压 - 集射极击穿(最大值)

650V

电流 - 集电极 (Ic)(最大值)

200A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)

200A

不同 Vge,Ic 时 Vce(on)(最大值)

2.1V@15V,75A

功率 - 最大值

375W

开关能量

1.25mJ(导通),1.26mJ(关断)

输入类型

标准

栅极电荷

152 nC

25℃ 时 Td(开/关)值

44ns/208ns

测试条件

400V,75A,10 欧姆,15V

反向恢复时间 (trr)

134ns

工作温度

-55℃~175℃(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-4

供应商器件封装

TO-247-4L

基本产品编号

FGH75

REACH 状态

不受 REACH影响

ECCN

EAR99

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