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    场效应管(MOSFET)DMTH10H017LPD-13采购_元器件采购商城
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    DMTH10H017LPD-13

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    商品DMTH10H017LPD-13规格参数

    商品型号 :

    DMTH10H017LPD-13

    类目 :

    场效应管(MOSFET)

    品牌 :

    DIODES(美台)

    最小包装量 :

    1

    起订量 :

    1

    批次 :

    --

    包装 :

    --

    库存 :

    1568

    系列

    --

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    2 N-通道(双)

    FET 功能

    --

    漏源电压(Vdss)

    100V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    59A(Tc)

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    17.4 毫欧@17A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    28.6nC@10V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    1986pF@50V

    功率 - 最大值

    2.6W(Ta),93W(Tc)

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    8-PowerTDFN

    供应商器件封装

    PowerDI5060-8(E 型)

    基本产品编号

    DMTH10

    REACH 状态

    不受 REACH影响

    ECCN

    EAR99

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    • DMTH10H017LPD-13_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMTH10H017LPD-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PowerDI5060-8（E 型）

      库存： 1568

      标准包： 1

      增量： 1

      1+

      $2.6555

      ¥19.0065

      10+

      $1.3892

      ¥9.9429

      100+

      $1.1624

      ¥8.3196

      500+

      $1.0773

      ¥7.7108

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    • DMTH10H017LPD-13_场效应管(MOSFET)
      数据手册
      DMTH10H017LPD-13

      品牌： DIODES(美台)

      分类： 场效应管(MOSFET)

      封装： PowerDI5060-8（E 型）

      库存： 1568

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