百能云芯(元器件)首页 > 元器件分类 > 晶体管 > 场效应管(MOSFET) > FDD86369-F085
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货期:
品牌:
分类:
封装:
TO-252AA
描述:
MOSFET, N-CH, 80V, 90A, 175DEG C, 150W
商品型号 :
FDD86369-F085
类目 :
品牌 :
Onsemi(安森美)
最小包装量 :
1
起订量 :
1
批次 :
--
包装 :
--
库存 :
3860
系列
PowerTrench®
包装
卷带(TR);剪切带(CT)
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80V
25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)
7.9 毫欧@80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V@250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
54 nC@10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2530pF@40 V
FET 功能
--
功率耗散(最大值)
150W(Tj)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
等级
汽车级
资质
AEC-Q101
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
基本产品编号
FDD86369
REACH 状态
不受 REACH影响
ECCN
EAR99
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标准包: 1
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