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    SQJ940EP-T1_GE3

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    • 品牌：

      VISHAY(威世)

    • 分类：

      其它

    • 封装：

      PowerPAK® SO-8 双通道不对称

    • 描述：

      MOSFET, N-CH, 40V, 18A, PPAKSO8L

      展开
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    商品SQJ940EP-T1_GE3规格参数

    商品型号 :

    SQJ940EP-T1_GE3

    类目 :

    其它

    品牌 :

    VISHAY(威世)

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    包装 :

    --

    库存 :

    13062

    系列

    TrenchFET®

    包装

    卷带(TR);剪切带(CT)

    技术

    MOSFET(金属氧化物)

    配置

    2 N-通道(双)

    FET 功能

    逻辑电平门

    漏源电压(Vdss)

    40V

    25℃ 时电流 - 连续漏极 (Id)

    15A(Ta),18A(Tc)

    不同 Id,Vgs 时导通电阻(最大值)

    16 毫欧@15A,10V

    不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.5V@250µA

    不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

    20nC@20V

    不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

    896pF@20V

    功率 - 最大值

    48W,43W

    工作温度

    -55℃~175℃(TJ)

    等级

    汽车级

    资质

    AEC-Q101

    安装类型

    表面贴装型

    封装/外壳

    PowerPAK® SO-8 双

    供应商器件封装

    PowerPAK® SO-8 双通道不对称

    基本产品编号

    SQJ940

    ECCN

    EAR99

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